半導体製造装置(前工程用)は、デザインルール微細化(0.18μm以下)と ウェーハ大口径化(φ300mm以上)への対応が求められています。
それには、装置を構成する部品の材料の選定が極めて重要となります。
窒化アルミニウム(AlN)は、熱伝導性・熱放射性(放熱)、耐熱衝撃性、電気絶縁性に優れ、 Siウェーハにマッチした熱膨張をもつ、特性のバランスの良い材料です。
当社はこれらの特性を生かした半導体製造装置用AlN部品を用意しております。

 

特性

特性AIN材質AlN
FAN-170FAN-200FAN-090
熱伝導率W/m·K(RT)17020090
熱放射率(100ºC)0.930.930.93
熱膨張係数10-6/ºC(RT~400ºC)4.54.54.5
絶縁抵抗Ω·cm(RT)>1013>1013>1013
絶縁耐圧kV/mm(RT)151515
誘電率(1MHz)8.88.88.8
誘電体損失10-4(1MHz)555
曲げ強度kgf/mm2353535
密度g/cm33.323.323.23
Y%3.53.30
O%1.51.20.58
金属不純物ppm<500<500<500
特徴汎用高熱伝導高純度
(焼結助剤レス)

特徴

  • 熱伝導・熱放射率が大きく、均熱性が高い。
  • 熱衝撃に強く、急熱・急冷に耐える。
  • Siにマッチした低熱膨張で、温度変化によるウェーハの変形を防ぎ、また、デポ膜の剥離によるパーティクル発生を低減する。
  • フッ素系ガスの耐食性が大きい。
  • 耐プラズマ性に優れている。

用途

  • 半導体製造装置用(CVD,エッチングなど)サセプター各種,静電チャック,ヒーター均熱板,真空チャック,ヒーター
  • ダミーウェーハ
  • スパッターターゲット

仕様

外形寸法(最大)φ/□550mm)
板厚寸法0.25to30(mm)

*外形・Gradeによって別途相談になります。

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