AlGaN/GaN on Sapphire wafer 的回收清洗和 MOCVD 基座的沉积膜清洗

洗涤前 Veeco 盘片 6 英寸 x 5 张
洗涤后 Veeco 盘片 6 英寸 x 5 张

※工艺:GaN ON Si(污垢细目AiN缓冲层+GaN Epi 1μ

洗涤前AiX suwan 2inch
洗涤后AiX suwan 2inch

※口袋中的细胞是由于 SiC 涂层损坏造成的。
※工艺:GaN ON Si(污垢细目AiN缓冲层+GaN Epi 30μ)