AlGaN/GaN on Sapphire wafer 的回收清洗和 MOCVD 基座的沉积膜清洗
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洗涤前 Veeco 盘片 6 英寸 x 5 张
![](https://www.ostech.co.jp/wp/wp-content/uploads/2020/07/dry_cleaning2-600x424.png)
洗涤后 Veeco 盘片 6 英寸 x 5 张
※工艺:GaN ON Si(污垢细目AiN缓冲层+GaN Epi 1μ)
![](https://www.ostech.co.jp/wp/wp-content/uploads/2020/07/dry_cleaning3-600x424.jpg)
洗涤前AiX suwan 2inch
![](https://www.ostech.co.jp/wp/wp-content/uploads/2020/07/dry_cleaning4-600x424.jpg)
洗涤后AiX suwan 2inch
※口袋中的细胞是由于 SiC 涂层损坏造成的。
※工艺:GaN ON Si(污垢细目AiN缓冲层+GaN Epi 30μ)